Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 715/1 542)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,3A; Idm: 17A; 25W (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: IPAK;TO251 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...

Vishay

IRLU110PBF

ab € 0,27*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,5A; 2,5W; SO8 (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,5A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Roll...

Infineon

IRF7452TRPBF

ab € 1 535,12*
pro 4 000 Stück

onsemi NVT NVTFS6H888NLTAG N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 14 A, 8-Pin WDFN (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = NVT Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,05 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Sch...

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

ab € 0,19*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6,9A; 42W; TO220FP (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 6,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: unipo...

Vishay

IRFI530GPBF

ab € 0,41*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK; ESD (2 Angebote)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Polarisierung...

ST Microelectronics

STD6NF10T4

ab € 0,32*
pro Stück

onsemi SUPERFET III NTPF360N80S3Z N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220F (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = SUPERFET III Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...

onsemi

NTPF360N80S3Z

ab € 1,64*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,8A; 2,5W; SO8 (4 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,8A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar ...

onsemi

FDS3672

ab € 0,45*
pro Stück

ROHM 2SAR586JGTLL SMD, PNP Transistor -80 V / 5 A, TO-263AB 3-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = -80 V Gehäusegröße = TO-263AB Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pr...

ROHM Semiconductor

2SAR586JGTLL

ab € 616,72*
pro 1 000 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; 42W; DPAK,TO252 (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: un...

Vishay

IRLR120TRPBF

ab € 0,30*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unipolar...

onsemi

FDMS86101

ab € 0,83*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB (8 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung: unipola...

Vishay

IRF510PBF

ab € 0,27*
pro Stück

onsemi TIP29CG THT, NPN Transistor 100 V / 1 A 1 MHz, TO-220 3-Pin (2 Angebote)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 30 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Transistor-...

onsemi

TIP29CG

ab € 0,49*
pro Stück

Infineon BSC265N10LSF G Transistor 55 V (2 Angebote)

Infineon

BSC265N10LSFGATMA1

ab € 0,4174*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™ (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 420A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1670W Polarisierung: unip...

IXYS

IXFX420N10T

ab € 12,39*
pro Stück

onsemi PZT751T1G SMD, PNP Transistor –60 V / –2 A 100 MHz, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –2 A Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 800 mW Gleichstromverstärkung min. = 40...

onsemi

PZT751T1G

ab € 5,05*
pro 50 Stück

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