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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage


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Produktinformationen:
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-1602227
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB3607PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 80 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 75 V
  • Verlustleistung: 140 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IRFB3607PBF, 1602227, 160-2227
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