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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607P


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Produktinformationen:
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607P
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607P
Artikel-Nr.:
     4503-31S3225
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB3607PBF
EAN/GTIN:
     4099879034090
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFETs, IRFB3607PBF, Infineon Technologies Features * Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit * Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA * Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Körperdioden Anwendungen * Hohe Effizienz Synchrone Gleichrichtung in SMPS * Unterbrechungsfreie Stromversorgung * Leistungsschaltung mit hoher Geschwindigkeit * Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
9 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
56 nC
Gehäuse:
TO-220
max. Spannung:
75 V
max. Strom:
80 A
max. Temperatur:
175 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Verlustleistung W (DC):
140 W
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.00019 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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