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Infineon HEXFET IRFB3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin TO-220AB


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Infineon HEXFET IRFB3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     822EL-1249004
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB3607PBF
EAN/GTIN:
     5059043036595
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.82mm
Höhe = 9.02mm

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
80 A
Drain-Source-Spannung max.:
75 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
9 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
140 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4.82mm
Höhe:
9.02mm
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, 1249004, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFB3607PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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