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"MOSFET"

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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 240ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -26A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: ...
IXYS
IXTH26P20P
ab € 2,94*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 175 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 175 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0022 Ω Gate-Schwellens...
Vishay
SQJ142ELP-T1_GE3
ab € 0,44*
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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 31ns Drain-Source Spannung: -65V Drainstrom: -28A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 83W P...
IXYS
IXTA28P065T
ab € 1,47*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 42,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SIR4608DP-T1-GE3
ab € 0,32*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 6,6 A PowerPAK SC-70 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIA108DJ-T1-GE3
ab € 0,34*
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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Bereitschaftszeit: 315ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -53A Widerstand im Leitungszustand: 48mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistun...
IXYS
IXTR90P20P
ab € 14,88*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 243 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 243 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJ154EP-T1_GE3
ab € 0,31*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 44,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 44,4 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIS4604DN-T1-GE3
ab € 0,23*
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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 100/-100V (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100/-100V Drainstrom: 2,2/-2,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,23/0,235Ω Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistun...
Diodes
ZXMC10A816N8TC
ab € 0,38*
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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3,5A; Idm: -20A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -8V Drainstrom: -3,5A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,1W Polarisierung: unipola...
Vishay
SI2305CDS-T1-GE3
ab € 0,118*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 66,6 A, 8-Pin 1212-8S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,6 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
ab € 1,36*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 266 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 266 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0017 Ω Gate-Schwellens...
Vishay
SQJ140EP-T1_GE3
ab € 0,57*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 49,3 A, 8-Pin PowerPak SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 49,3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPak SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SIR4604DP-T1-GE3
ab € 0,39*
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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -140A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 56...
IXYS
IXTT140P10T
ab € 12,39*
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,9 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3S Montage-Typ = SMD
Vishay
SIZ260DT-T1-GE3
ab € 0,59*
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