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"MOSFET"

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Vishay SIJH5100E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 277 A, 4-Pin 8 x 8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 277 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = 8 x 8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIJH5100E-T1-GE3
ab € 7 390,48*
pro 2 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 20/-20V (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT563F Drain-Source Spannung: 20/-20V Drainstrom: 0,6/-0,35A Widerstand im Leitungszustand: 700/1200mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung: 0,625W P...
onsemi
FDY4000CZ
ab € 0,152*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHA150N60E-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chi...
Vishay
SIHA150N60E-GE3
ab € 2,78*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 7,4/-7,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,028/0,025Ω Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung...
Diodes
DMC3028LSD-13
ab € 0,187*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -15V Drainstrom: -3A Widerstand im Leitungszustand: 87mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301D
ab € 0,484*
pro 20 Stück
 
 Packung
Vishay SIHFPS40N60K-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 40 A, 3-Pin Super-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = Super-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,13 Ω Channel-Modus = Enhanc...
Vishay
SIHFPS40N60K-GE3
ab € 4,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0,16A; 0,4W; SOT563; ESD (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT563 Drain-Source Spannung: -50V Drainstrom: -0,16A Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,4W Polar...
Diodes
DMP58D0SV-7
ab € 0,0934*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHA22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 182 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHA22N60EF-GE3
ab € 2,13*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2,7A; 1W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2,7A Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301C
ab € 0,26*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 6,5/-6A Widerstand im Leitungszustand: 20/22mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistun...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4616
ab € 0,187*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHG039N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 61 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
Vishay
SIHG039N60EF-GE3
ab € 7,73*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 41 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHB068N60EF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,068 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
ab € 2,80*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3,5A; 1,2W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3,5A Widerstand im Leitungszustand: 96mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisie...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3401A
ab € 0,61*
pro 20 Stück
 
 Packung
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 16/-12,5A Widerstand im Leitungszustand: 14/22mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustle...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6661
ab € 0,28*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHB080N60E-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 600 V / 35 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SIHB080N60E-GE3
ab € 2,84*
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