MOSFET bei Mercateo günstig kaufen (Seite 1 357/1 720)

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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3,2A; 1,2W (1 Angebot)

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3,2A Widerstand im Leitungszustand: 68mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisie...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL3407A

ab € 0,0523*
pro Stück

Vishay SIHK075N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET + Diode 600 V / 33 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Vishay

SIHK075N60EF-T1GE3

ab € 4,78*
pro Stück

Vishay Siliconix TrenchFET SiZ348DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...

Vishay

SiZ348DT-T1-GE3

ab € 0,64*
pro Stück

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 245ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -68A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 5...

IXYS

IXTH68P20T

ab € 11,08*
pro Stück

Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17,4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 235 mΩ Channel-Modus = Enhan...

Vishay

SIHW21N80AE-GE3

ab € 3,01*
pro Stück

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4,1A; 2,5W (1 Angebot)

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -4,1A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisier...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS9435A

ab € 0,265*
pro 5 Stück

Vishay SIHK105N60E-T1-GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V / 24 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12 Montage-Typ = PCB-Montage Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemen...

Vishay

SIHK105N60E-T1-GE3

ab € 4,20*
pro Stück

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 228ns Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 300...

IXYS

IXTQ36P15P

ab € 4,08*
pro Stück

Vishay Siliconix TrenchFET SQA401EEJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,68 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...

Vishay

SQA401EEJ-T1_GE3

ab € 0,21*
pro Stück

Vishay SiJ128LDP SiJ128LDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 25,5 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25,5 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = SiJ128LDP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0156 Ω Channel-Modus = Enhancemen...

Vishay

SiJ128LDP-T1-GE3

ab € 0,54*
pro Stück

Vishay SIHK155N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 8-Pin 10 x 12 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = 10 x 12 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Vishay

SIHK155N60E-T1-GE3

ab € 5,99*
pro Stück

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Bereitschaftszeit: 260ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -30A Widerstand im Leitungszustand: 93mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistun...

IXYS

IXTR48P20P

ab € 8,51*
pro Stück

Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...

Vishay

SQA405EJ-T1_GE3

ab € 0,26*
pro Stück

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: -50V Drainstrom: -32A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 83W...

IXYS

IXTP32P05T

ab € 1,31*
pro Stück

Vishay SIJ4108DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 56,7 A, 7-Pin SO-8L (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 56,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Vishay

SIJ4108DP-T1-GE3

ab € 1,41*
pro Stück

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