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"MOSFET"

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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1,6A; Idm: -8A; 1,2W (1 Angebot) 
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -60V Drainstrom: -1,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,2W...
Micro Commercial Components
SI5618A-TP
ab € 0,57*
pro 5 Stück
 
 Packung
Vishay SIHK185N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHK185N60E-T1-GE3
ab € 3,91*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 260ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -48A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 462...
IXYS
IXTT48P20P
ab € 7,90*
pro Stück
 
 Stück
Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ Channel-Modus = Enh...
Vishay
SQD40061EL_GE3
ab € 0,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 30ns Drain-Source Spannung: -50V Drainstrom: -48A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 150W ...
IXYS
IXTA48P05T
ab € 2,23*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIR698DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7,5 A PowerPAK SO-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIR698DP-T1-GE3
ab € 1 365,78*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0,13A; 0,3W; SOT363 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: -50V Drainstrom: -130mA Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,3W Pola...
Diodes
BSS84DW-7-F
ab € 0,0874*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIJ482DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD
Vishay
SIJ482DP-T1-GE3
ab € 0,86*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -140A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: ...
IXYS
IXTH140P10T
ab € 11,07*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiHP068N60EF SIHP068N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 41 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHP068N60EF Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,068 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHP068N60EF-GE3
ab € 2,50*
pro Stück
 
 Stück
Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 760 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
Vishay
SQJ431AEP-T1_GE3
ab € 0,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 31ns Drain-Source Spannung: -65V Drainstrom: -28A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 83W...
IXYS
IXTP28P065T
ab € 1,80*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2,7A; Idm: -24A; 1,2W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: -60V Drainstrom: -2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,2W Polar...
Diodes
DMP6110SSD-13
ab € 0,176*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiJA54ADP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 126 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 126 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chi...
Vishay
SiJA54ADP-T1-GE3
ab € 0,79*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 62ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -18A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 83W...
IXYS
IXTA18P10T
ab € 1,32*
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