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"MOSFET"

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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 176ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -170A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 89...
IXYS
IXTK170P10P
ab € 13,93*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHB6N80AE-GE3 N-Kanal Quad, SMD MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Vishay
SIHB6N80AE-GE3
ab € 1,12*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23-6 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3A Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,3W Polari...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2301A
ab € 0,43*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 182 mΩ Channel-Modus = Enhance...
Vishay
SIHP22N60EF-GE3
ab € 2,15*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Bereitschaftszeit: 144ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -57A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistun...
IXYS
IXTR90P10P
ab € 5,35*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,9 Ω Channel-Modus = En...
Vishay
SIHD2N80AE-GE3
ab € 0,40*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHP25N40D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 25 A TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 400 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT
Vishay
SIHP25N40D-GE3
ab € 1,87*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 228ns Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: ...
IXYS
IXTH36P15P
ab € 5,40*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiHF068N60EF SIHF068N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 16 A, 3-Pin TO-220FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHF068N60EF Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,068 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHF068N60EF-GE3
ab € 3,40*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2,7A; 1,1W; DFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN8 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2,7A Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,1W Polarisierung: unipolar Einheitspr...
Alpha & Omega Semiconductor
AON4803
ab € 0,20*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHR080N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 51 A, 8-Pin 8 x 8LR (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 51 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = 8 x 8LR Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIHR080N60E-T1-GE3
ab € 5,56*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHK085N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V / 30 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12 Montage-Typ = PCB-Montage Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemen...
Vishay
SIHK085N60EF-T1GE3
ab € 12 025,92*
pro 2 000 Stück
 
 Packung
Vishay SIHF085N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHF085N60EF-GE3
ab € 6,81*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -1,7A Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art:...
Infineon
IRF7506TRPBF
ab € 809,64*
pro 4 000 Stück
 
 Packung
Vishay SIHU5N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5,3 A IPAK (TO-251) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = IPAK (TO-251) Montage-Typ = THT
Vishay
SIHU5N50D-GE3
ab € 0,46*
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