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"MOSFET"

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Vishay SIHP074N65E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIHP074N65E-GE3
ab € 10,07*
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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Bereitschaftszeit: 406ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -13A Widerstand im Leitungszustand: 0,49Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistu...
IXYS
IXTR20P50P
ab € 8,52*
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Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
Vishay
SQJ504EP-T1_GE3
ab € 0,95*
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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 55ns Drain-Source Spannung: -85V Drainstrom: -96A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 298W ...
IXYS
IXTA96P085T
ab € 3,38*
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Vishay SIJH5700E-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 174 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 174 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro C...
Vishay
SIJH5700E-T1-GE3
ab € 2,60*
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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -210A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung...
IXYS
IXTX210P10T
ab € 20,75*
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Vishay SIHP150N60E-GE3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIHP150N60E-GE3
ab € 2,81*
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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -40A; 890W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 477ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -40A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 89...
IXYS
IXTK40P50P
ab € 13,65*
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Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 75 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Vishay
SQJA76EP-T1_GE3
ab € 0,54*
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Vishay SIRA10DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIRA10DP-T1-GE3
ab € 0,35*
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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -52A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 300W...
IXYS
IXTQ52P10P
ab € 3,97*
pro Stück
 
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Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
Si2319DDS-T1-GE3
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 70ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -76A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 29...
IXYS
IXTP76P10T
ab € 3,36*
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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1,6A; 0,7W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: -15V Drainstrom: -1,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 0,7W Polarisi...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301G
ab € 0,18*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 150 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 3 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...
Vishay
SQM40022EM_GE3
ab € 1,47*
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