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"MOSFET"

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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 40/-40V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 40/-40V Drainstrom: 5/-4A Widerstand im Leitungszustand: 45/30mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung:...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4614B
ab € 0,149*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SI8416DB-T2-E1 N-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 16 A 6-MicroFoot (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 8 V Gehäusegröße = 6-MicroFoot Montage-Typ = SMD
Vishay
SI8416DB-T2-E1
ab € 1,27*
pro 5 Stück
 
 Packungen
Vishay SiHB125N60EF SIHB125N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHB125N60EF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHB125N60EF-GE3
ab € 1,90*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5,7A; 2W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -5,7A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipola...
Vishay
SI4925BDY-T1-E3
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHK185N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V / 16 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12 Montage-Typ = PCB-Montage Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemen...
Vishay
SIHK185N60EF-T1GE3
ab € 3,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3,5/-2,9A; 1,5W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 40/-40V Drainstrom: 3,5/-2,9A Widerstand im Leitungszustand: 58/100mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET x2 Anwendung: Autom...
Diodes
DMHC4035LSDQ-13
ab € 0,38*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIDR578EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 78 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 78 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SIDR578EP-T1-RE3
ab € 3 506,04*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 60/-50V (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: 60/-50V Drainstrom: 0,115/-0,13A Widerstand im Leitungszustand: 10/13,5Ω Transistor-Typ: N/P-MOSFET Anwendung: Au...
Diodes
BSS8402DWQ-13
ab € 0,135*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 100/-100V (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100/-100V Drainstrom: 2,2/-2,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,23/0,235Ω Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistun...
Diodes
ZXMC10A816N8TC
ab € 0,38*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHB150N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHB150N60E-GE3
ab € 128,51*
pro 50 Stück
 
 Packung
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; 1,3W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,3W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4805
ab € 0,263*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 60/-60V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60/-60V Drainstrom: 5/-3,9A Widerstand im Leitungszustand: 25/42mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistun...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4611
ab € 0,45*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIA4446DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 31 A, 7-Pin SC-70 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SC-70 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIA4446DJ-T1-GE3
ab € 1 034,43*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0,13A; 0,3W; SOT363 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: -50V Drainstrom: -130mA Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Anwendung: Automobilbranch...
Diodes
BSS84DWQ-7
ab € 0,50*
pro 5 Stück
 
 Packung
Vishay SIHP054N65E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 47 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHP054N65E-GE3
ab € 10,75*
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